注目ポイント

  • HBM4Eではハイブリッドボンディングの実現は難しい
  • HBM5でハイブリッドボンディングを実現することを目指す
  • 775マイクロンの限界を超えるために、薄いダイと狭いギャップが必要
  • MR-MUFプロセスで、ギャップを半分に縮小し、ダイの厚みを50マイクロンに薄くする
  • iHBMアーキテクチャで、熱伝導率を30%以上削減する

詳しく解説

SKハインックスのジャイスク・リー氏は、Hot Chips 2026でHBM4Eではハイブリッドボンディングの実現は難しいと述べた。HBM4Eのパッケージ厚みは775マイクロンに制限されており、さらに薄いダイと狭いギャップが必要になる。MR-MUFプロセスでは、ギャップを半分に縮小し、ダイの厚みを50マイクロンに薄くすることが可能である。

iHBMアーキテクチャでは、熱伝導率を30%以上削減することが可能である。iHBMアーキテクチャは、熱伝導率の高いブロックをパッケージ内に埋め込むことで、熱伝導率を向上させる。ただし、iHBMアーキテクチャは、既に設計されている世代には適用できない。

編集部の見解

ハイブリッドボンディングの実現は、HBMの将来を左右する重要な技術である。SKハインックスの発表は、ハイブリッドボンディングの実現が難しいことを示唆している。ただし、MR-MUFプロセスとiHBMアーキテクチャは、HBMの性能を向上させるための重要な技術である。

まとめ

HBM5でのハイブリッドボンディングの実現は、将来のHBMの開発を促進する重要な技術である。SKハインックスの発表は、ハイブリッドボンディングの実現が難しいことを示唆しているが、MR-MUFプロセスとiHBMアーキテクチャは、HBMの性能を向上させるための重要な技術である。